MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 200 mA, SOT-523 (SC-89), Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2666
Codice costruttore:: FDY301NZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 200 mA, SOT-523 (SC-89), Montaggio superficiale

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Prodotto discontinuato

Codice RS:: 166-2666
Codice costruttore:: FDY301NZ
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-523 (SC-89)
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	625 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,8 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	0.98mm
Lunghezza	1.7mm
Altezza	0.78mm
Minima temperatura operativa	-55 °C