MOSFET MagnaChip, canale N, 14,9 mΩ, 17 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:
170-3036
Codice costruttore:
MDS1525URH
Costruttore:
MagnaChip
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Marchio

MagnaChip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

14,9 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.7V

Dissipazione di potenza massima

5,1 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

3.9mm

Carica gate tipica @ Vgs

13 nC a 10 V

Lunghezza

4.9mm

Tensione diretta del diodo

1.1V

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET a bassa tensione (LV)


Questi MOSFET a bassa tensione (LV) forniscono una bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di commutazione rapide.


Transistor MOSFET, MagnaChip

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