MOSFET MagnaChip, canale N, 14,9 mΩ, 17 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-3036
Codice costruttore:: MDS1525URH
Costruttore:: MagnaChip

MOSFET MagnaChip, canale N, 14,9 mΩ, 17 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 170-3036
Codice costruttore:: MDS1525URH
Costruttore:: MagnaChip

MDS1525 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.9A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14,9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.7V
Dissipazione di potenza massima	5,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	4.9mm
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET MagnaChip, canale N, 14,9 mΩ, 17 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a bassa tensione (LV)

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