MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 177-7598
Codice costruttore:: IRFL110TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,524 €

(IVA esclusa)

0,639 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,524 €	1.310,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 177-7598
Codice costruttore:: IRFL110TRPBF
Costruttore:: Vishay

IRFL110, SiHFL110, Power MOSFET Data Sheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	540 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.7mm
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	8,3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.8mm

MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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