MOSFET Vishay, canale N, 760 mΩ, 1,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 813-0714
Codice costruttore:: IRLL110TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 760 mΩ, 1,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 10

1,425 €

(IVA esclusa)

1,739 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
10 - 90	1,425 €	14,25 €
100 - 240	1,281 €	12,81 €
250 - 490	1,211 €	12,11 €
500 - 990	1,139 €	11,39 €
1000 +	0,939 €	9,39 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 813-0714
Codice costruttore:: IRLL110TRPBF
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	760 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	6,1 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.8mm

Codice RS:: 813-0714
Codice costruttore:: IRLL110TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 760 mΩ, 1,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

Specifiche

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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