MOSFET onsemi, canale N, P, 1,9 Ω, 7 Ω, 220 mA, 410 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:
178-7600
Codice costruttore:
FDG6322C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

220 mA, 410 mA

Tensione massima drain source

25 V

Tipo di package

SOT-363

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

1,9 Ω, 7 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.65V

Dissipazione di potenza massima

300 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Carica gate tipica @ Vgs

0,29 nC a 4,5 V, 1,1 nC a 5 V

Lunghezza

2mm

Larghezza

1.25mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Materiale del transistor

Si

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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