1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.28 Ω, 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB IRF9Z24PBF
- Codice RS:
- 180-8309
- Codice costruttore:
- IRF9Z24PBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
45,80 €
(IVA esclusa)
55,90 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 23 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,916 € | 45,80 € |
| 100 - 200 | 0,87 € | 43,50 € |
| 250 + | 0,825 € | 41,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8309
- Codice costruttore:
- IRF9Z24PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.28Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.28Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 280mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 60W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• valore nominale DV/dt dinamico
• facilità di collegamento in parallelo
Commutazione rapida •
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
Valore nominale a valanga ripetitivo di •
• requisiti di azionamento semplici
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
Link consigliati
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.28 Ω JEDEC TO-220AB
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.28 Ω TO-263, Superficie
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.14 Ω JEDEC TO-220AB
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.28 Ω TO-263, Superficie IRF9Z24SPBF
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.14 Ω JEDEC TO-220AB IRF9Z30PBF
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.028 Ω JEDEC TO-220AB
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.028 Ω JEDEC TO-220AB IRFZ44RPBF
- MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.8 Ω JEDEC TO-220AB