2 MOSFET di potenza Vishay Drain comune, canale Tipo N, 5 mΩ, 60 A 25 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
188-4890
Codice costruttore:
SISF02DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Configurazione transistor

Drain comune

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

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