2 MOSFET di potenza Vishay Drain comune, canale Tipo N, 5 mΩ, 60 A 25 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4999
Codice costruttore:
SISF02DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Drain comune

Altezza

0.75mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a 25 V (S1-S2) a canale N doppio di drain comune.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Bassissima resistenza da sorgente a sorgente

MOSFET a canale n a drain comune integrati in un contenitore compatto e termicamente migliorato

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