2 MOSFET di potenza Vishay Drain comune, canale Tipo N, 5 mΩ, 60 A 25 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4999
Codice costruttore:
SISF02DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Configurazione transistor

Drain comune

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a 25 V (S1-S2) a canale N doppio di drain comune.

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