2 MOSFET di potenza Vishay Drain comune, canale Tipo N, 5 mΩ, 60 A 25 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Packaging Options:
Codice RS:
188-4999
Codice costruttore:
SISF02DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Configurazione transistor

Drain comune

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a 25 V (S1-S2) a canale N doppio di drain comune.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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