2 MOSFET di potenza Vishay Drain comune, canale Tipo N, 18 mΩ, 52 A 60 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

11,99 €

(IVA esclusa)

14,63 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 30 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,398 €11,99 €
50 - 1202,156 €10,78 €
125 - 2451,798 €8,99 €
250 - 4951,432 €7,16 €
500 +1,202 €6,01 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5025
Codice costruttore:
SiSF20DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Drain comune

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Comune - Drain MOSFET Dual N-Channel da 60 V (S1-S2).

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Bassissima resistenza da sorgente a sorgente

MOSFET a canale n a drain comune integrati in un contenitore compatto e termicamente migliorato

Link consigliati