2 MOSFET di potenza Vishay Drain comune, canale Tipo N, 18 mΩ, 52 A 60 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5025
Codice costruttore:
SiSF20DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Drain comune

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Comune - Drain MOSFET Dual N-Channel da 60 V (S1-S2).

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Bassissima resistenza da sorgente a sorgente

MOSFET a canale n a drain comune integrati in un contenitore compatto e termicamente migliorato

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