MOSFET Toshiba, canale N, 5.8 Ω, 82 A, SOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:
206-9791
Codice costruttore:
TPH3R704PC,LQ(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

82 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

TPH3R704PC

Tipo di package

SOP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

5.8 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.4V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Silicone

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e azionamenti per motori.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 2,9 m?
Temperatura di stoccaggio da -55 a 175 °C.

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