MOSFET Infineon, canale N 40 V, 4.6 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Codice RS:: 214-4338
Codice costruttore:: BSZ034N04LSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 4.6 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

1835,00 €

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Codice RS:: 214-4338
Codice costruttore:: BSZ034N04LSATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	PQFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.6mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	25nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	52W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.4mm
	Altezza	1.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package PQFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ
	Modalità canale N
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 52W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.4mm
	Altezza 1.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSZ034N04LSATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ034N04LSATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N a montaggio superficiale progettato per la conversione di potenza e le applicazioni ad alta corrente. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per progetti compatti montati su scheda che richiedono una bassa perdita di conduzione e una commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassissima resistenza in stato attivo di 4.6 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 40 A supporta carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente le fasi di potenza a media tensione
• La carica gate tipica di 25 nC garantisce una risposta di commutazione più rapida
• La dissipazione di potenza di 52 W consente una notevole gestione del calore
• Il limite gate-source 20 V protegge da tensioni di azionamento eccessive

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con circuiti a mezzo ponte per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione
• Adatto per moduli a punto di carico ad alta corrente

Quale approccio di montaggio richiede su una scheda?

Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PQFN progettato per il fissaggio del circuito stampato saldato e la conduzione termica attraverso il modello di messa a terra del contenitore.

In che modo il suo intervallo termico influisce sull'implementazione?

Valore nominale da -55 a 150 °C, può essere collocato in ambienti con temperature ambientali estreme e di giunzione elevate, soggetto a un design termico appropriato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano alle prestazioni di commutazione?

Con una carica gate tipica di 25 nC, i progettisti devono fornire una corrente di azionamento gate sufficiente per ottenere velocità di transizione mirate gestendo al contempo le EMI.

È configurato per il funzionamento in modalità di potenziamento?

Il dispositivo utilizza una modalità di conduzione a canale N adatta per configurazioni low-side e high-side se accoppiato con l'apposito gate drive e lo spostamento di livello.