MOSFET Infineon, canale N 40 V, 4.6 mΩ N, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ034N04LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4339
Codice costruttore:
BSZ034N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PQFN

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ034N04LSATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N a montaggio superficiale progettato per la conversione di potenza e le applicazioni ad alta corrente. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per progetti compatti montati su scheda che richiedono una bassa perdita di conduzione e una commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassissima resistenza in stato attivo di 4.6 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 40 A supporta carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente le fasi di potenza a media tensione
• La carica gate tipica di 25 nC garantisce una risposta di commutazione più rapida
• La dissipazione di potenza di 52 W consente una notevole gestione del calore
• Il limite gate-source 20 V protegge da tensioni di azionamento eccessive

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con circuiti a mezzo ponte per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione
• Adatto per moduli a punto di carico ad alta corrente

Quale approccio di montaggio richiede su una scheda?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PQFN progettato per il fissaggio del circuito stampato saldato e la conduzione termica attraverso il modello di messa a terra del contenitore.

In che modo il suo intervallo termico influisce sull'implementazione?


Valore nominale da -55 a 150 °C, può essere collocato in ambienti con temperature ambientali estreme e di giunzione elevate, soggetto a un design termico appropriato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano alle prestazioni di commutazione?


Con una carica gate tipica di 25 nC, i progettisti devono fornire una corrente di azionamento gate sufficiente per ottenere velocità di transizione mirate gestendo al contempo le EMI.

È configurato per il funzionamento in modalità di potenziamento?


Il dispositivo utilizza una modalità di conduzione a canale N adatta per configurazioni low-side e high-side se accoppiato con l'apposito gate drive e lo spostamento di livello.

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