MOSFET Infineon, canale N 700 V, 600 mΩ N, 8.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA70R600P7SXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3013
Codice costruttore:
IPA70R600P7SXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

24.9W

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione di sorgente di drenaggio da 700 V, corrente di drenaggio continua da 8,5 A - IPA70R600P7SXKSA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in gruppi a foro passante. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è adatto per applicazioni che richiedono un blocco di tensione sostanziale e un gate drive controllato, mentre è montato in un contenitore TO-220.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 700 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8,5 A supporta carichi di corrente moderati
• Rds(on) di 600 mΩ riduce le perdite di conduzione nei cicli di commutazione
• Limiti di caduta della tensione diretta del diodo di 0,9 V durante la commutazione
• La dissipazione di potenza 24.9 W consente un flusso termico sostanziale
• La tensione massima gate-source di 30 V consente tensioni gate-drive standard

Applicazioni


• Utilizzato per la commutazione in alimentatori ad alta tensione
• Adatto per convertitori e inverter industriali ad alta tensione
• Ideale per prototipi a foro passante che richiedono un robusto dissipatore di calore
• Può essere utilizzato per stadi di alimentazione per telecomunicazioni a corrente media
• Utilizzato con circuiti di gate‐drive discreti in piattaforme di test da laboratorio

A quali temperature d'esercizio può resistere?


Funziona in un intervallo termico da -40 °C a +150 °C.

Come deve essere montato per ottenere prestazioni termiche ottimali?


Il formato a foro passante TO-220 è progettato per il montaggio a bullone del dissipatore per ottimizzare la dissipazione.

Quali sono i vincoli da rispettare per l'azionamento del gate?


La tensione gate-source non deve superare 30 V per evitare danni al gate.

Quali fattori di conduzione e prestazioni di commutazione influenzano la selezione?


Le perdite di conduzione si riferiscono alla resistenza di accensione di 600 mΩ e il comportamento di commutazione è influenzato dalla caratteristica del diodo in avanti da 0,9 V.

Questo dispositivo è specificato per applicazioni standard automobilistiche?


Non è conforme alle norme automobilistiche e deve essere valutato di conseguenza.

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