MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 600 mΩ N, 8.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPAN70R600P7SXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2502
Codice costruttore:
IPAN70R600P7SXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

82W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.1mm

Altezza

29.87mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET supergiunzione Infineon 700V CoolMOS™ P7 soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di supergiunzione utilizzate oggi. Combinando il feedback dei clienti con oltre 20 anni di esperienza con MOSFET a supergiunzione, il modello 700V CoolMOS™ P7 consente la soluzione migliore per le applicazioni target in termini di: Efficienza e funzionamento termico facilità d'uso del comportamento EMI.

FOM R DS(ON) x e oss estremamente basso; Abbassare Q g, e ON e e Off

Tecnologia ad alte prestazioni

Basse perdite di commutazione (e oss)

Estremamente efficiente

Eccellente comportamento termico

Consente la commutazione ad alta velocità

Diodo Zener di protezione integrato

V (GS)th ottimizzato di 3V con tolleranza molto stretta di ±0,5 V.

Portafoglio finemente graduato

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