MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.3 Ω, 4.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB5N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9912
Codice costruttore:
SIHB5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3Ω

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.88mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Protezione ESD con diodo Zener integrato

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