MOSFET Vishay, canale N 850 V, 250 mΩ Miglioramento, 16.3 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHG21N80AEF-GE3

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Codice RS:
228-2867
Codice costruttore:
SIHG21N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-247

Serie

E

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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