MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 52 mΩ Miglioramento, 60 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

764,88 €

(IVA esclusa)

933,15 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 09 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +25,496 €764,88 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
230-0093
Codice costruttore:
SCTWA60N120G2-4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTW

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

388W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.1 mm

Altezza

21.1mm

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo STMicroelectronics SCTWA60N è un MOSFET di potenza in carburo di silicio sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

Link consigliati