MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 52 mΩ Miglioramento, 60 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante SCTWA60N120G2-4

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Codice RS:
230-0093
Codice costruttore:
SCTWA60N120G2-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTW

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

388W

Tensione diretta Vf

3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.1mm

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo STMicroelectronics SCTWA60N è un MOSFET di potenza in carburo di silicio sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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