MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 73 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW60N120G2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-5530
Codice costruttore:
SCTW60N120G2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCT

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

73mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

18V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

94nC

Tensione diretta Vf

3V

Dissipazione di potenza massima Pd

389W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

34.8mm

Standard/Approvazioni

UL

Altezza

5mm

Larghezza

15.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione. Può essere utilizzato in alimentatori switching, convertitori c.c.-c.c. e controllo di motori industriali.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata

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