MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 0.016 Ω Miglioramento, 99 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante DMT10H9M9SCT

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,40 €

(IVA esclusa)

10,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 185 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,68 €8,40 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7546
Codice costruttore:
DMT10H9M9SCT
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

99A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.016Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

31.24mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.66mm

Larghezza

4.82 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore TO220AB. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 100 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

Link consigliati