MOSFET Wolfspeed, canale N, 36 A, TO-263-7, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 248-8936
- Codice costruttore:
- C3M0060065J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- Codice RS:
- 248-8936
- Codice costruttore:
- C3M0060065J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 36 A | |
| Tensione massima drain source | 650 V | |
| Tipo di package | TO-263-7 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 36 A | ||
Tensione massima drain source 650 V | ||
Tipo di package TO-263-7 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
La tecnologia MOSFET C3MTM MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed è in modalità di potenziamento a canale N. I MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeeds Z-Fet™, C2M™ & C3M™ sono una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione della divisione di potenza Wolfspeed di Cree che offrono una densità di potenza e un'efficienza di commutazione leader del settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più elevate e hanno requisiti di raffreddamento ridotti che migliorano l'efficienza operativa complessiva del sistema.
Tecnologia MOSFET SiC di terza generazione
Contenitore a bassa induttanza con pin sorgente driver
7 mm di distanza di scorrimento tra drenaggio e sorgente
Elevata tensione di blocco con bassa resistenza in stato attivo
Commutazione ad alta velocità con basse capacità
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr
)Senza alogeni, conforme a RoHS
Contenitore a bassa induttanza con pin sorgente driver
7 mm di distanza di scorrimento tra drenaggio e sorgente
Elevata tensione di blocco con bassa resistenza in stato attivo
Commutazione ad alta velocità con basse capacità
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr
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