2 MOSFET Infineon Livello normale a doppio canale N, canale N, 20 A 60 V, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale Doppio
- Codice RS:
- 249-6918
- Codice costruttore:
- IPG20N06S415AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,30 €
(IVA esclusa)
6,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 4755 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,06 € | 5,30 € |
| 50 - 120 | 0,944 € | 4,72 € |
| 125 - 245 | 0,88 € | 4,40 € |
| 250 - 495 | 0,816 € | 4,08 € |
| 500 + | 0,766 € | 3,83 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6918
- Codice costruttore:
- IPG20N06S415AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IPG20N06S4-15A | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Doppio N | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Livello normale a doppio canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IPG20N06S4-15A | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Doppio N | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Livello normale a doppio canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS è un MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche. Il canale di funzionamento è N. È qualificato AEC Q101. MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco. Prodotto verde (conforme a RoHS) ed è testato al 100% a valanga.
Temperatura d'esercizio 175 °C
Link consigliati
- 2 MOSFET Infineon Livello normale a doppio canale N 20 A 60 V Montaggio superficiale Doppio
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N 16 A 100 V
- 2 MOSFET Infineon Livello normale a doppio canale N 8.6 mΩ SuperSO 8
- 2 MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V
- 2 MOSFET e diodo Infineon Doppio canale N 40 A 30 V Montaggio superficiale, 8 Pin
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V Montaggio
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 22 mΩ TDSON,