MOSFET Infineon, canale N 85 V, 26 mΩ, 42 A, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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2000 - 20000,575 €1.150,00 €
4000 +0,552 €1.104,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
257-5542
Codice costruttore:
IRFR2407TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

85V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET IR Infineon di MOSFET di potenza utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.

Struttura a celle planari per un'ampia SOA

Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione sotto<100 kHz

Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore

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