MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.105 Ω Miglioramento, 24 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

12,14 €

(IVA esclusa)

14,82 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2050 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 486,07 €12,14 €
50 - 985,455 €10,91 €
100 - 2484,46 €8,92 €
250 - 9984,375 €8,75 €
1000 +3,365 €6,73 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8309
Codice costruttore:
SIHK105N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHK

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.105Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

142W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza Vishay con diodo corpo rapido e tecnologia serie E di 4a generazione. Ha una riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione ed è utilizzato in applicazioni come gli alimentatori switching, gli alimentatori per server e gli alimentatori per telecomunicazioni.

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

Link consigliati