MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.014 Ω Miglioramento, 34.4 A, 8 Pin, 1212-8, Superficie SISH107DN-T1-GE3

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Codice RS:
279-9983
Codice costruttore:
SISH107DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SISH

Tipo di package

1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.014Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

26.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

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