Transistor MOSFET Vishay, canale N, 66 mΩ, 3,8 A, SC-70, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

3,8 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SC-70

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

66 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.6V

Dissipazione di potenza massima

1,5 W

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

4,85 nC a 4,5 V, 5 nC a 5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

2mm

Larghezza

1.25mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1mm