MOSFET Infineon, canale N, 21,6 mΩ, 9,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-3903
Codice costruttore:: IRF8313TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 21,6 mΩ, 9,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-3903
Codice costruttore:: IRF8313TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF8313TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,7 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	21,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC @ 4,5 V
Larghezza	4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, 21,6 mΩ, 9,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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