1 MOSFET di potenza Microchip Singolo, canale Tipo N, 3.5 Ω, 1.1 A 250 V, DFN, Superficie Depletion, 8 Pin DN2625DK6-G
- Codice RS:
- 916-3725
- Codice costruttore:
- DN2625DK6-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 916-3725
- Codice costruttore:
- DN2625DK6-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | DN2625 | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie DN2625 | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.04nC | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor MOSFET a canale N DN2625
Il Microchip DN2625 è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento a bassa soglia (normalmente attiva) che utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.
Caratteristiche
Bassa tensione di soglia del gate
Progettati per essere azionati dalla sorgente
Basse perdite di commutazione
Capacità di uscita effettiva bassa
Progettato per carichi induttivi
Transistor MOSFET, Microchip
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