Codice costruttore

1 MOSFET di potenza Microchip Singolo, canale Tipo N, 3.5 Ω, 1.1 A 250 V, DFN, Superficie Depletion, 8 Pin DN2625DK6-G

Codice RS:: 916-3725
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip

1 MOSFET di potenza Microchip Singolo, canale Tipo N, 3.5 Ω, 1.1 A 250 V, DFN, Superficie Depletion, 8 Pin DN2625DK6-G

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

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Codice RS:: 916-3725
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Microchip
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	1.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Serie	DN2625
	Tipo di package	DFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.5Ω
	Modalità canale	Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	7.04nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Singolo
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.1mm
	Altezza	0.85mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Microchip
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 1.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Serie DN2625
	Tipo di package DFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5Ω
	Modalità canale Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.04nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Singolo
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.1mm
	Altezza 0.85mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico No

Transistor MOSFET a canale N DN2625

Il Microchip DN2625 è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento a bassa soglia (normalmente attiva) che utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.

Caratteristiche

Bassa tensione di soglia del gate

Progettati per essere azionati dalla sorgente

Basse perdite di commutazione

Capacità di uscita effettiva bassa

Progettato per carichi induttivi

Transistor MOSFET, Microchip

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