MOSFET Microchip, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 916-3725
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip

MOSFET Microchip, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 916-3725
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip

DN2625DK6-G Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,1 A
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,5 Ω
Modalità del canale	Depletion
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	7,04 nC @ 1,5 V
Lunghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.1mm
Tensione diretta del diodo	1.8V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.85mm

MOSFET Microchip, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

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Transistor MOSFET a canale N DN2625

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