1 MOSFET di potenza Microchip Singolo, canale Tipo N, 3.5 Ω, 1.1 A 250 V, DFN, Superficie Depletion, 8 Pin DN2625DK6-G

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

11,76 €

(IVA esclusa)

14,345 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1415 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +2,352 €11,76 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
916-3725
Codice costruttore:
DN2625DK6-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

DN2625

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.8V

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.04nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Singolo

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.1mm

Larghezza

5.1 mm

Altezza

0.85mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Transistor MOSFET a canale N DN2625


Il Microchip DN2625 è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento a bassa soglia (normalmente attiva) che utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.

Caratteristiche


Bassa tensione di soglia del gate

Progettati per essere azionati dalla sorgente

Basse perdite di commutazione

Capacità di uscita effettiva bassa

Progettato per carichi induttivi

Transistor MOSFET, Microchip


Link consigliati