MOSFET Vishay, canale N, 77 mΩ, 3,9 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4264
Codice costruttore:: SI1416EDH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 77 mΩ, 3,9 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 919-4264
Codice costruttore:: SI1416EDH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	77 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	2,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,5 nC a 10 V
Lunghezza	2.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 77 mΩ, 3,9 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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