MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 77 mΩ Miglioramento, 3.9 A, 6 Pin, SC-88, Superficie Si1416EDH-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3063
Codice costruttore:
Si1416EDH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-88

Serie

Si1416EDH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

77mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.35 mm

Lunghezza

2.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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