MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 77 mΩ Miglioramento, 3.9 A, 6 Pin, SC-88, Superficie Si1416EDH-T1-GE3
- Codice RS:
- 812-3063
- Codice costruttore:
- Si1416EDH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 812-3063
- Codice costruttore:
- Si1416EDH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Serie | Si1416EDH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 77mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Serie Si1416EDH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 77mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
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