Toshiba MOSFET

I transistor MOSFET, o transistor a effetto campo di ossido di metallo, sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. L'effetto campo significa che sono controllati dalla tensione.

Lo scopo di un transistor è quello di controllare il flusso della corrente che passa dalla sorgente ai terminali di drenaggio: agisce in modo molto simile a un interruttore ed è utilizzato per la commutazione o l'amplificazione di segnali elettronici.

Questi dispositivi a semiconduttore sono IC (circuiti integrati), montati su circuiti stampati. Disponibili in diversi tipi di contenitori standard come DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 e TO-220.

Modalità impoverimento e modalità potenziata

I transistor MOSFET sono dotati di due modalità: impoverimento (svuotamento) e potenziata (miglioramento).

L'esaurimento dei MOSFET funziona come un interruttore chiuso. La corrente passa attraverso quando non viene applicata alcuna corrente. Il flusso di corrente si arresta se viene applicata una tensione negativa. I MOSFET in modalità potenziata sono come una resistenza variabile e sono generalmente più popolari dei MOSFET in modalità impoverimento. Sono disponibili in varianti a canale N o a canale P.

MOSFET funzionamento

I pin su un contenitore MOSFET sono Source, Gate e Drenaggio. Quando viene applicata una tensione tra i terminali Gate e Source, la corrente può passare dal drenaggio ai pin della sorgente. Quando la tensione applicata al gate cambia, anche la resistenza dallo scarico alla sorgente cambia. Minore è la tensione applicata, maggiore è la resistenza. Quando la tensione aumenta, la resistenza dallo scarico alla sorgente diminuisce.

MOSFET di potenza caratteristiche

I MOSFET di potenza sono come i MOSFET standard, ma sono progettati per gestire un livello di potenza più elevato.

MOSFET a canale N e a canale P

Canale N

Gli N channel mosfet contengono elettroni aggiuntivi che sono liberi di muoversi. Sono il tipo di canale più diffuso. I MOSFET a canale N funzionano quando viene applicata una carica positiva al terminal del gate.

Canale P

Nel P channel mosfet Il substrato MOSFET contiene elettroni e lacune elettroniche. I MOSFET a canale P sono collegati a una tensione positiva. Questi MOSFET si accendono quando la tensione fornita al terminal del gate è inferiore alla tensione di origine.