MOSFET Vishay, canale Canale P -60 V, 0.23 Ω P, -2.8 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale SQ2361CEES-T1_NE3

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Codice RS:
878-891
Codice costruttore:
SQ2361CEES-T1_NE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-60V

Serie

SQ

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.23Ω

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

2.64mm

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
GB
Il MOSFET a canale P di grado automobilistico di Vishay offre funzionalità di commutazione affidabili e ad alta efficienza in condizioni difficili. Progettato per le prestazioni, funziona con una tensione massima di drenaggio-sorgente di 60 V e una corrente di drenaggio continua di 2,8 A.

La tecnologia TrenchFET garantisce un'efficienza di commutazione ottimale

Conforme alla norma AEC-Q101, adatto per applicazioni automobilistiche

Resiste a correnti di drenaggio continue fino a 2,8 A

Progettato per una bassa resistenza in stato attivo, riducendo la perdita di potenza

Offre un'eccellente protezione ESD, con valore nominale di 800 V

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