MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0087 Ω N, 50.3 A, 8 Pin, 1212-8S, Montaggio superficiale SISS32ADN-T1-BE3

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Codice RS:
878-900
Codice costruttore:
SISS32ADN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiSS

Tipo di package

1212-8S

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0087Ω

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4mm

Altezza

0.83mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET Vishay offre prestazioni elevate nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione. Progettato per l'efficienza, eccelle nella rettifica sincrona e come interruttore laterale primario nei convertitori CC/CC, garantendo un controllo affidabile dell'energia.

La tecnologia TrenchFET Gen IV garantisce una maggiore efficienza

La resistenza in stato attivo molto bassa riduce al minimo le perdite di potenza

Test completi garantiscono affidabilità e prestazioni

Il design versatile del pacchetto si adatta a vari requisiti di montaggio

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