MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0087 Ω N, 50.3 A, 8 Pin, 1212-8S, Montaggio superficiale SISS32ADN-T1-UE3

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Codice RS:
878-901
Codice costruttore:
SISS32ADN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiSS

Tipo di package

1212-8S

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0087Ω

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

830μm

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il semiconduttore Vishay è un robusto MOSFET a canale N progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione, caratterizzato da una bassa resistenza in stato attivo e prestazioni termiche migliorate per ambienti operativi impegnativi.

La tecnologia TrenchFET Gen IV offre un'efficienza superiore

L'RDS(on) molto basso riduce la perdita di potenza durante il funzionamento

La tensione di soglia gate-source garantisce una commutazione affidabile

L'ampio intervallo di temperatura garantisce il funzionamento in varie condizioni

Il design del contenitore consente un'integrazione semplificata nei layout dei circuiti

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