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    MOSFET Vishay, canale N, 10 mΩ, 45,5 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

    Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 25/10/2024.

    Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

    0,151 €

    (IVA esclusa)

    0,184 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Unità
    Per unità
    Per bobina*
    3000 - 30000,151 €453,00 €
    6000 +0,143 €429,00 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    134-9164
    Codice costruttore:
    SIRA88DP-T1-GE3
    Costruttore:
    Vishay

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain45,5 A
    Tensione massima drain source30 V
    Tipo di packagePowerPAK SO-8
    SerieTrenchFET
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin8
    Resistenza massima drain source10 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima2.4V
    Tensione di soglia gate minima1.1V
    Dissipazione di potenza massima25 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source+20 V
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza5.26mm
    Carica gate tipica @ Vgs16,8 nC a 10 V
    Lunghezza6.25mm
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Tensione diretta del diodo1.1V
    Altezza1.12mm

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