MOSFET Vishay, canale N, 10 mΩ, 45,5 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 134-9696
Codice costruttore:: SIRA88DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 10 mΩ, 45,5 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 25

0,375 €

(IVA esclusa)

0,457 €

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Unità	Per unità	Per confezione*
25 - 225	0,375 €	9,375 €
250 - 600	0,30 €	7,50 €
625 - 1225	0,225 €	5,625 €
1250 - 2475	0,188 €	4,70 €
2500 +	0,169 €	4,225 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 134-9696
Codice costruttore:: SIRA88DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	45,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	10 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+20 V
Larghezza	5.26mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	16,8 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	1.12mm