MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 3.2 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD3N50D-GE3

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Codice RS:
145-1656
Codice costruttore:
SIHD3N50D-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.38mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, serie D ad alta tensione, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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