MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 2 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS12DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3920P
Codice costruttore:
SiSS12DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.15mm

Lunghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS(on) molto bassa in un contenitore compatto e termicamente migliorato

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

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