MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 11.2 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQS660CENW-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2968
Codice costruttore:
SQS660CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 60 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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