MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 0.20 Ω Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1552,50 €

(IVA esclusa)

1895,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 28 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,621 €1.552,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-7100
Codice costruttore:
SPD15P10PLGBTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

SPD15P10P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.20Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione diretta Vf

-0.96V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Il SIPMOS di Infineon appartiene ai MOSFET di potenza a canale P altamente innovativi della famiglia OptiMOS. Questi prodotti soddisfano costantemente i più alti requisiti di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione dei sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato e la figura di merito.

Modalità di potenziamento

Valanga

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

Link consigliati