MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 0.20 Ω Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SPD15P10PLGBTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-7790
Codice costruttore:
SPD15P10PLGBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

SPD15P10P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.20Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.96V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Il SIPMOS di Infineon appartiene ai MOSFET di potenza a canale P altamente innovativi della famiglia OptiMOS. Questi prodotti soddisfano costantemente i più alti requisiti di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione dei sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato e la figura di merito.

Modalità di potenziamento

Valanga

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

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