Transistor MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 5.1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

5.1 A

Tensione massima drain source

12 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

35 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.4V

Dissipazione di potenza massima

1250 mW

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Larghezza

1.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

3.04mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

15 nC a 4,5 V, 9 nC a 2,5 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.02mm