MOSFET Renesas Electronics, canale N, 95 mΩ, 120 A, SC-65, Su foro
- Codice RS:
- 772-5311P
- Codice costruttore:
- 2SK1671-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 6,97 € |
| 10 - 99 | 6,82 € |
| 100 - 249 | 6,67 € |
| 250 + | 6,54 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 772-5311P
- Codice costruttore:
- 2SK1671-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 120 A | |
| Tensione massima drain source | 250 V | |
| Tipo di package | SC-65 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 95 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Larghezza | 4.8mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Lunghezza | 15.6mm | |
| Altezza | 19.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 120 A | ||
Tensione massima drain source 250 V | ||
Tipo di package SC-65 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 95 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 3V | ||
Dissipazione di potenza massima 125 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Larghezza 4.8mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Lunghezza 15.6mm | ||
Altezza 19.9mm | ||
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