MOSFET Renesas Electronics, canale N, 48 mΩ, 176 A, TO-3P, Su foro

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

176 A

Tensione massima drain source

300 V

Tipo di package

TO-3P

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

48 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

95 nC a 10 V

Larghezza

4.8mm

Lunghezza

15.6mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

19.9mm