2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 80 mΩ, 4 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:
168-7929
Codice costruttore:
IRF7309TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

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