MOSFET Infineon, canale N, P, 80 mΩ, 160 mΩ, 3 A, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7929
Codice costruttore:: IRF7309TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 80 mΩ, 160 mΩ, 3 A, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,303 €

(IVA esclusa)

0,37 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,303 €	1.212,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7929
Codice costruttore:: IRF7309TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7309TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	3 A, 4 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	80 mΩ, 160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 4,5 V
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, P, 80 mΩ, 160 mΩ, 3 A, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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