MOSFET Infineon, canale N, P, 80 mΩ, 160 mΩ, 3 A, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8866
Codice costruttore:: IRF7309TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 80 mΩ, 160 mΩ, 3 A, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-8866
Codice costruttore:: IRF7309TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7309TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	3 A, 4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	80 mΩ, 160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 4,5 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, P, 80 mΩ, 160 mΩ, 3 A, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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