IGBT transistor inverter di commutazione | RS
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    IGBT

    Gli IGBT sono semiconduttori utilizzati principalmente come dispositivi di commutazione per consentire o arrestare il flusso di potenza.

    Gli IGBT inverter presentano molti vantaggi in quanto si tratta di un incrocio tra due dei transistor più comuni, transistor bipolari e MOSFET.

    IGBT significato

    IGBT transistor è un acronimo per transistor bipolare a gate isolato.

    IGBT funzionamento

    I transistor IGBT sono dispositivi a tre terminali che applicano una tensione a un semiconduttore per bloccarne il flusso di alimentazione quando è spento e consentirlo invece nello stato acceso.

    Sono controllati da una struttura di gate con semiconduttore a ossido di metallo.

    Quali sono i diversi tipi di transistor IGBT?

    Esistono vari tipi di transistor IGBT e sono classificati in base a parametri quali la tensione massima, corrente collettore, tipo di imballaggio e velocità di commutazione. Il tipo di transistor IGBT scelto varia a seconda del livello esatto di potenza e le applicazioni considerate. Nel catalogo RS online è disponibile ampia gamma di IGBT, inclusi modelli di IGBT di potenza, IGBT 400A 1200V e molti altri per ogni esigenza applicativa.

    Qual è la differenza tra MOSFET e IGBT?

    Gli IGBT hanno una caduta di tensione diretta molto più bassa rispetto a un MOSFET convenzionale in dispositivi con tensione di blocco nominale più elevata. Tuttavia, I MOSFET sono caratterizzati da una tensione diretta inferiore a densità di corrente inferiori grazie all'assenza del diodo Vf nell'uscita BJT dell'IGBT.

    Un modulo transistor IGBT (transistor bipolare a gate isolato) è costituito da uno o più IGBT ed è utilizzato in molti tipi di apparecchiature industriali grazie alla sua affidabilità. I transistor IGBT sono un incrocio tra transistor a giunzione bipolare (BJT) e MOSFET. Sono estremamente efficienti e a commutazione rapida, inoltre hanno caratteristiche di corrente elevata e bassa tensione di saturazione.

    Applicazioni

    I transistor di potenza IGBT vengono ampiamente utilizzati per la commutazione dell'alimentazione elettrica in applicazioni quali la saldatura, automobili elettriche, condizionatori d'aria, treni e gruppi di continuità. Altre applicazioni includono:

    • Motori elettrici
    • Gruppi di continuità
    • Installazioni di pannelli solari
    • Saldatrici
    • Convertitori di potenza e inverter
    • Caricabatterie induttivi
    • Fornelli induttivi

    2451 prodotti trovati per IGBT

    Vishay
    146 A
    N
    600 V
    Single
    ± 20V
    446 W
    1
    SOT-227
    Montaggio a pannello
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    187 A
    N
    1200 V
    Single
    ± 20V
    890 W
    1
    SOT-227
    Montaggio a pannello
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    100 A
    -
    1700 V
    -
    ±20 V, ±30V
    937 W
    1
    TO247AD
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.34mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Vishay
    139 A
    N
    1200 V
    Single
    ± 20V
    658 W
    1
    SOT-227
    Montaggio a pannello
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    75 A
    N
    1700 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-247AD
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.26 x 5.3 x 21.46mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    IXYS
    100 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    450 W
    -
    SOT-227B
    Montaggio superficiale
    4
    1MHz
    Singolo
    38.2 x 25.07 x 9.6mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    IXYS
    43 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    150 W
    -
    ISOPLUS247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.34mm
    -
    -
    -
    +125 °C
    STMicroelectronics
    200 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    ISOTOP
    Montaggio a pannello
    4
    -
    Singolo
    38.2 x 25.5 x 9.1mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    Infineon
    600 A
    -
    1200 V
    -
    +/-20V
    3 kW
    -
    Modulo
    Montaggio a pannello
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Mitsubishi Electric
    300 A
    -
    600 V
    Dual
    20V
    2,21 kW
    2
    94x48mm
    -
    -
    -
    Doppio
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    240 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    1500 W
    -
    PLUS247
    Su foro
    3
    50kHz
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.34mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Semikron Danfoss
    200 A
    -
    1200 V
    Half Bridge
    ±15.0V
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    400 A
    -
    1200 V
    -
    +/-20V
    2,4 kW
    -
    Modulo
    Montaggio a pannello
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Semikron
    150 A
    -
    1200 V
    Half Bridge
    ±15.0V
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    169 A
    N
    1200 V
    Single
    ± 20V
    781 W
    1
    SOT-227
    Montaggio a pannello
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Mitsubishi Electric
    100 A
    -
    600 V
    Dual
    20V
    775 W
    2
    94x34mm
    -
    -
    -
    Doppio
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    80 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    483 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.03 x 5.16 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    Vishay
    169 A
    N
    1200 V
    Single
    ± 20V
    781 W
    1
    SOT-227
    Montaggio a pannello
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Semikron Danfoss
    300 A
    -
    1200 V
    Half Bridge
    ±15.0V
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Mitsubishi Electric
    20
    N
    600 V
    Array
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    Modulo PowerDIP
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