IGBT transistor inverter di commutazione | RS
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    IGBT

    Gli IGBT sono semiconduttori utilizzati principalmente come dispositivi di commutazione per consentire o arrestare il flusso di potenza.

    Gli IGBT inverter presentano molti vantaggi in quanto si tratta di un incrocio tra due dei transistor più comuni, transistor bipolari e MOSFET.

    IGBT significato

    IGBT transistor è un acronimo per transistor bipolare a gate isolato.

    IGBT funzionamento

    I transistor IGBT sono dispositivi a tre terminali che applicano una tensione a un semiconduttore per bloccarne il flusso di alimentazione quando è spento e consentirlo invece nello stato acceso.

    Sono controllati da una struttura di gate con semiconduttore a ossido di metallo.

    Quali sono i diversi tipi di transistor IGBT?

    Esistono vari tipi di transistor IGBT e sono classificati in base a parametri quali la tensione massima, corrente collettore, tipo di imballaggio e velocità di commutazione. Il tipo di transistor IGBT scelto varia a seconda del livello esatto di potenza e le applicazioni considerate. Nel catalogo RS online è disponibile ampia gamma di IGBT, inclusi modelli di IGBT di potenza, IGBT 400A 1200V e molti altri per ogni esigenza applicativa.

    Qual è la differenza tra MOSFET e IGBT?

    Gli IGBT hanno una caduta di tensione diretta molto più bassa rispetto a un MOSFET convenzionale in dispositivi con tensione di blocco nominale più elevata. Tuttavia, I MOSFET sono caratterizzati da una tensione diretta inferiore a densità di corrente inferiori grazie all'assenza del diodo Vf nell'uscita BJT dell'IGBT.

    Un modulo transistor IGBT (transistor bipolare a gate isolato) è costituito da uno o più IGBT ed è utilizzato in molti tipi di apparecchiature industriali grazie alla sua affidabilità. I transistor IGBT sono un incrocio tra transistor a giunzione bipolare (BJT) e MOSFET. Sono estremamente efficienti e a commutazione rapida, inoltre hanno caratteristiche di corrente elevata e bassa tensione di saturazione.

    Applicazioni

    I transistor di potenza IGBT vengono ampiamente utilizzati per la commutazione dell'alimentazione elettrica in applicazioni quali la saldatura, automobili elettriche, condizionatori d'aria, treni e gruppi di continuità. Altre applicazioni includono:

    • Motori elettrici
    • Gruppi di continuità
    • Installazioni di pannelli solari
    • Saldatrici
    • Convertitori di potenza e inverter
    • Caricabatterie induttivi
    • Fornelli induttivi

    2419 prodotti trovati per IGBT

    • Codice RS 906-4472
    • Codice costruttore IGW60T120FKSA1
    1pz in confezione da 2
    6,74 €
    Infineon
    100 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    375 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 739-4945
    • Codice costruttore FGH60N60SMD
    Unità
    6,04 €
    onsemi
    120 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    600 W
    -
    TO-247AB
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 686-8388
    • Codice costruttore STGP6NC60HD
    1pz in confezione da 5
    0,71 €
    STMicroelectronics
    15 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-220
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    10.4 x 4.6 x 9.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 864-8782
    • Codice costruttore FGA40N65SMD
    1pz in confezione da 2
    4,085 €
    onsemi
    40 A
    N
    650 V
    -
    ±20V
    349 W
    -
    TO-3PN
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    16.2 x 5 x 20.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 495-732
    • Codice costruttore IRGP4063DPBF
    Unità
    3,80 €
    Infineon
    96 A
    N
    600 V
    Single
    ±20V
    330 W
    1
    TO247AC
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.9 x 5.3 x 20.3mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 284-9001
    • Codice costruttore FGY100T120RWD
    Unità
    13,49 €
    onsemi
    200 A
    N
    1200 V
    Single
    ±20V
    1,07 kW
    -
    TO247-3LD
    Su foro
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • Codice RS 807-6664
    • Codice costruttore HGTG30N60B3
    Unità
    5,50 €
    onsemi
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    208 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    15.87 x 4.82 x 20.82mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 687-4964
    • Codice costruttore SKM150GB12T4
    Unità
    121,19 €
    Semikron Danfoss
    232 A
    N
    1200 V
    Dual Half Bridge (DHB)
    ±20V
    -
    -
    SEMITRANS2
    Montaggio a pannello
    7
    -
    Serie
    94 x 34 x 30.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 826-8232
    • Codice costruttore IGW25N120H3FKSA1
    Unità
    4,84 €
    Infineon
    50 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    326 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    1MHz
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 862-9353
    • Codice costruttore ISL9V3040S3ST
    1pz in confezione da 5
    2,712 €
    Fairchild Semiconductor
    21 A
    N
    450 V
    -
    ±14V
    150 W
    -
    D2PAK (TO-263)
    Montaggio superficiale
    3
    -
    Singolo
    10.67 x 9.65 x 4.83mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 759-9257
    • Codice costruttore FGAF40N60UFTU
    Unità
    3,10 €
    onsemi
    40 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    100 W
    -
    TO-3PF
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.5 x 5.5 x 26.5mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 686-8376
    • Codice costruttore STGP10NC60KD
    1pz in confezione da 5
    1,716 €
    STMicroelectronics
    20 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-220
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    10.4 x 4.6 x 9.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 892-2129
    • Codice costruttore IKW08T120FKSA1
    1pz in confezione da 4
    3,19 €
    Infineon
    16 A
    N
    1200 V
    -
    ±20V
    70 W
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    20kHz
    Singolo
    16.13 x 5.21 x 21.1mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 686-8354
    • Codice costruttore STGW20NC60VD
    Unità
    3,60 €
    STMicroelectronics
    60 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    -
    -
    TO-247
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 754-5402
    • Codice costruttore IKW75N60TFKSA1
    Unità
    7,74 €
    Infineon
    80 A
    N
    600 V
    Single
    ±20V
    428 W
    1
    TO-247
    Su foro
    3
    20kHz
    Singolo
    16.03 x 21.1 x 5.16mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 226-6103
    • Codice costruttore IKFW90N60EH3XKSA1
    Unità
    10,18 €
    Infineon
    77 A
    N
    600 V
    Single
    30V
    178 W
    1
    PG-TO247
    -
    3
    -
    Singolo
    -
    -
    -
    -
    -
    • Codice RS 110-7783
    • Codice costruttore IKP15N60TXKSA1
    1pz in confezione da 10
    0,906 €
    Infineon
    26 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    130 W
    -
    TO-220
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    10.36 x 4.57 x 15.95mm
    -
    -
    -
    +175 °C
    • Codice RS 110-9135
    • Codice costruttore 7MBR50VB-120-50
    Unità
    70,61 €
    Fuji Electric
    50 A
    N
    1200 V
    Ponte trifase
    ±20V
    280 W
    -
    M712
    Su foro
    24
    -
    Trifase
    122 x 62 x 17mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 829-4379
    • Codice costruttore STGP3HF60HD
    1pz in confezione da 5
    1,056 €
    STMicroelectronics
    7,5 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    38 W
    -
    TO-220
    Su foro
    3
    -
    Singolo
    10.4 x 4.6 x 15.75mm
    -
    -
    -
    +150 °C
    • Codice RS 784-9348
    • Codice costruttore AUIRGP4063D-E
    Unità
    11,21 €
    Infineon
    96 A
    N
    600 V
    -
    ±20V
    330 W
    -
    TO-247AD
    Su foro
    3
    30kHz
    Singolo
    15.87 x 5.13 x 20.7mm
    -
    -
    -
    +175 °C
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