MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 60 V, 0 Ω N, 19 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIHH150N60E-T1-FE3
- Codice RS:
- 851-496
- Codice costruttore:
- SIHH150N60E-T1-FE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 851-496
- Codice costruttore:
- SIHH150N60E-T1-FE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0Ω | |
| Modalità canale | N | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 Qualified | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0Ω | ||
Modalità canale N | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 Qualified | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per offrire un'elevata efficienza nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione, ottimizzando le prestazioni in ambienti difficili.
Utilizza la tecnologia avanzata della serie E per una maggiore efficienza energetica
Offre un basso valore di merito, migliorando le prestazioni complessive
Riduce significativamente le perdite di conduzione e commutazione per una maggiore longevità
Classificato per valanga, garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme
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