Transistor MOSFET | RS
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    MOSFET

    I transistor MOSFET, o transistor a effetto campo di ossido di metallo, sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. L'effetto campo significa che sono controllati dalla tensione.

    Lo scopo di un transistor è quello di controllare il flusso della corrente che passa dalla sorgente ai terminali di drenaggio: agisce in modo molto simile a un interruttore ed è utilizzato per la commutazione o l'amplificazione di segnali elettronici.

    Questi dispositivi a semiconduttore sono IC (circuiti integrati), montati su circuiti stampati. Disponibili in diversi tipi di contenitori standard come DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 e TO-220.

    Modalità impoverimento e modalità potenziata

    I transistor MOSFET sono dotati di due modalità: impoverimento (svuotamento) e potenziata (miglioramento).

    L'esaurimento dei MOSFET funziona come un interruttore chiuso. La corrente passa attraverso quando non viene applicata alcuna corrente. Il flusso di corrente si arresta se viene applicata una tensione negativa. I MOSFET in modalità potenziata sono come una resistenza variabile e sono generalmente più popolari dei MOSFET in modalità impoverimento. Sono disponibili in varianti a canale N o a canale P.

    MOSFET funzionamento

    I pin su un contenitore MOSFET sono Source, Gate e Drenaggio. Quando viene applicata una tensione tra i terminali Gate e Source, la corrente può passare dal drenaggio ai pin della sorgente. Quando la tensione applicata al gate cambia, anche la resistenza dallo scarico alla sorgente cambia. Minore è la tensione applicata, maggiore è la resistenza. Quando la tensione aumenta, la resistenza dallo scarico alla sorgente diminuisce.

    MOSFET di potenza caratteristiche

    I MOSFET di potenza sono come i MOSFET standard, ma sono progettati per gestire un livello di potenza più elevato.

    MOSFET a canale N e a canale P

    Canale N

    Gli N channel mosfet contengono elettroni aggiuntivi che sono liberi di muoversi. Sono il tipo di canale più diffuso. I MOSFET a canale N funzionano quando viene applicata una carica positiva al terminal del gate.

    Canale P

    Nel P channel mosfet Il substrato MOSFET contiene elettroni e lacune elettroniche. I MOSFET a canale P sono collegati a una tensione positiva. Questi MOSFET si accendono quando la tensione fornita al terminal del gate è inferiore alla tensione di origine.

    18390 prodotti trovati per MOSFET

    • Codice RS 541-0086
    • Codice costruttore IRLZ44NPBF
    Unità
    1,04 €
    Infineon
    N
    47 A
    55 V
    22 mΩ
    HEXFET
    -16 V, +16 V
    TO-220AB
    2V
    Su foro
    3
    -
    1V
    -
    Enhancement
    48 nC a 5 V
    110 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 914-8154
    • Codice costruttore IRF540NPBF
    1pz in confezione da 20
    0,631 €
    Infineon
    N
    33 A
    100 V
    44 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO-220AB
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    71 nC a 10 V
    130 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-0862
    • Codice costruttore IRFP9240PBF
    Unità
    3,28 €
    Vishay
    P
    12 A
    200 V
    500 mΩ
    -
    -20 V, +20 V
    TO247AC
    -
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    44 nC a 10 V
    150 W
    -
    -
    Singolo
    5.31mm
    15.87mm
    +150 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-1219
    • Codice costruttore IRL540NPBF
    Unità
    1,25 €
    Infineon
    N
    36 A
    100 V
    44 mΩ
    HEXFET
    -16 V, +16 V
    TO-220AB
    2V
    Su foro
    3
    -
    1V
    -
    Enhancement
    74 nC a 5 V
    140 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 823-5642
    • Codice costruttore IPP320N20N3GXKSA1
    1pz in confezione da 2
    3,235 €
    Infineon
    N
    34 A
    200 V
    32 mΩ
    OptiMOS™ 3
    -20 V, +20 V
    TO-220
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    22 nC a 10 V
    136 W
    -
    -
    Singolo
    4.57mm
    10.36mm
    +175 °C
    Si
    1
    1pz in confezione da 10
    0,225 €
    onsemi
    N
    220 mA
    50 V
    3,5 Ω
    -
    -20 V, +20 V
    SOT-23
    1.5V
    Montaggio superficiale
    3
    -
    0.8V
    -
    Enhancement
    1,7 nC a 10 V
    360 mW
    -
    -
    Singolo
    1.3mm
    2.92mm
    +150 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-1231
    • Codice costruttore IRLZ24NPBF
    Unità
    0,80 €
    Infineon
    N
    18 A
    55 V
    60 mΩ
    HEXFET
    -16 V, +16 V
    TO-220AB
    2V
    Su foro
    3
    -
    1V
    -
    Enhancement
    15 nC a 5 V
    45 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-1720
    • Codice costruttore IRF5210PBF
    Unità
    1,97 €
    Infineon
    P
    40 A
    100 V
    60 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO-220AB
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    180 nC a 10 V
    200 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    Unità
    2,82 €
    onsemi
    N
    12 A
    100 V
    9 mΩ
    PowerTrench
    -20 V, +20 V
    D2PAK (TO-263)
    -
    Montaggio superficiale
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    84 nC a 10 V
    310 W
    -
    -
    Singolo
    9.65mm
    10.67mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 708-5143
    • Codice costruttore IRF540PBF
    1pz in confezione da 5
    1,872 €
    Vishay
    N
    28 A
    100 V
    77 mΩ
    -
    -20 V, +20 V
    TO-220AB
    -
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    72 nC a 10 V
    150 W
    -
    -
    Singolo
    4.7mm
    10.41mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-1269
    • Codice costruttore IRFP140NPBF
    Unità
    1,93 €
    Infineon
    N
    33 A
    100 V
    52 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO247AC
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    94 nC a 10 V
    140 W
    -
    -
    Singolo
    5.3mm
    15.9mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 688-6872
    • Codice costruttore IRF540ZPBF
    1pz in confezione da 2
    1,01 €
    Infineon
    N
    36 A
    100 V
    27 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO-220AB
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    42 nC a 10 V
    92 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-0042
    • Codice costruttore IRFP250NPBF
    Unità
    2,48 €
    Infineon
    N
    30 A
    200 V
    75 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO247AC
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    123 nC a 10 V
    214 W
    -
    -
    Singolo
    5.3mm
    15.9mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 256-7297
    • Codice costruttore IRFP240PBF
    1pz in confezione da 5
    2,532 €
    Vishay
    N
    20 A
    200 V
    -
    -
    -
    TO-247AC
    -
    Su foro
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • Codice RS 541-1247
    • Codice costruttore IRLZ34NPBF
    Unità
    1,22 €
    Infineon
    N
    30 A
    55 V
    35 mΩ
    HEXFET
    -16 V, +16 V
    TO-220AB
    2V
    Su foro
    3
    -
    1V
    -
    Enhancement
    25 nC a 5 V
    68 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    1pz in confezione da 10
    0,351 €
    DiodesZetex
    N
    1,9 A
    100 V
    300 mΩ
    -
    -20 V, +20 V
    SOT-23
    4V
    Montaggio superficiale
    6
    -
    -
    -
    Enhancement
    4,2 nC a 5 V
    1,7 W
    -
    -
    Singolo
    1.75mm
    3mm
    +150 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-1225
    • Codice costruttore IRF9540NPBF
    Unità
    1,25 €
    Infineon
    P
    23 A
    100 V
    117 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO-220AB
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    97 nC a 10 V
    140 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    1pz in confezione da 10
    0,391 €
    Infineon
    P
    70 A
    40 V
    0,0078 O
    OptiMOS™
    -
    TO-252
    0.3125V
    Montaggio superficiale
    3
    -
    -
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    • Codice RS 541-1180
    • Codice costruttore IRF520NPBF
    Unità
    0,57 €
    Infineon
    N
    9,7 A
    100 V
    200 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO-220AB
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    25 nC a 10 V
    48 W
    -
    -
    Singolo
    4.69mm
    10.54mm
    +175 °C
    Si
    1
    • Codice RS 541-0856
    • Codice costruttore IRFP150NPBF
    Unità
    1,96 €
    Infineon
    N
    42 A
    100 V
    36 mΩ
    HEXFET
    -20 V, +20 V
    TO247AC
    4V
    Su foro
    3
    -
    2V
    -
    Enhancement
    110 nC @ 10 V
    160 W
    -
    -
    Singolo
    5.3mm
    15.9mm
    +175 °C
    Si
    1
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