MOSFET STMicroelectronics, 27 mΩ, 55 A 1200 V, H2PAK-7, Superficie SCT025H120G3-7

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Codice RS:
365-165
Codice costruttore:
SCT025H120G3-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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