IXYS

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MOSFET IXYS, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro
  • € 14,573
    Each (In a Tube of 25)
MOSFET IXYS, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain100 A
  • Tensione massima drain source650 V
  • SerieX2-Class
  • Tipo di packageTO-264P
Prodotti simili in MOSFET
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247
  • € 18,52Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247
  • Corrente massima continuativa collettore200 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima1250 W
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in IGBT
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 30A, 1000V, SOT-227B, Switching
  • € 22,075
    Each (In a Tube of 10)
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 30A, 1000V, SOT-227B, Switching
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageSOT-227B
  • Corrente massima continuativa di forward30A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1000V
  • Configurazione diodiIsolato
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
MOSFET IXYS, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 25,939
    Each (In a Tube of 10)
MOSFET IXYS, canale N, 140 mΩ, 40 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain40 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
Diodo switching IXYS, Su foro, TO-247AD, Singolo, 2 Pin
  • € 4,754
    Each (In a Tube of 30)
Diodo switching IXYS, Su foro, TO-247AD, Singolo, 2 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Numero di elementi per chip1
  • Tipo di packageTO-247AD
  • Tecnologia del diodoGiunzione al silicio
Prodotti simili in Diodi switching
MOSFET IXYS, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro
  • € 9,96Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain36 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageTO-247AD
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-220AB, Su foro
  • € 8,295
    1pz in confezione da 2
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET IXYS, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-220AB, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain26 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • Tipo di packageTO-220AB
  • SerieHiperFET, Polar3
Prodotti simili in MOSFET
Diodo switching IXYS, Su foro, 12A, 1200V, TO-220AC, Singolo, 2 Pin
  • € 2,728
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo switching IXYS, Su foro, 12A, 1200V, TO-220AC, Singolo, 2 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Corrente massima di forward12A
  • Numero di elementi per chip1
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Massima tensione inversa1200V
Prodotti simili in Diodi switching
Modulo raddrizzatore ponte, Monofase, IXYS, Ifwd 38A, VRRM 1200V, FO-A, Montaggio a vite, 4 Pin
  • € 21,843
    Each (In a Box of 10)
Modulo raddrizzatore ponte, Monofase, IXYS, Ifwd 38A, VRRM 1200V, FO-A, Montaggio a vite, 4 Pin
  • PonteMonofase
  • Corrente di forward media di picco38A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1200V
  • Tipo di montaggioMontaggio a vite
  • Tipo di packageFO-A
Prodotti simili in Raddrizzatori a ponte
MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 69 A, TO-247, Su foro
  • € 9,477
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 69 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain69 A
  • Tensione massima drain source300 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in MOSFET
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247
  • € 11,572
    Each (In a Tube of 30)
IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247
  • Corrente massima continuativa collettore90 A
  • Tensione massima collettore emitter1200 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima625 W
  • Tipo di packageTO-247
Prodotti simili in IGBT
IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264
  • € 24,49Unità
IGBT IXYS, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-264
  • Corrente massima continuativa collettore100 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Numero di transistor1
  • Dissipazione di potenza massima695 W
Prodotti simili in IGBT
MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro
  • € 1,482
    1pz in confezione da 5
MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain8 A
  • Tensione massima drain source650 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieX2-Class
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET IXYS, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro
  • € 8,995
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET IXYS, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain36 A
  • Tensione massima drain source500 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo di packageTO-247AD
Prodotti simili in MOSFET
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 90A, 600V, SOT-227B, Fast recovery
  • € 35,60Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 90A, 600V, SOT-227B, Fast recovery
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageSOT-227B
  • Corrente massima continuativa di forward90A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa600V
  • Configurazione diodiIsolato
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
Modulo raddrizzatore ponte, Monofase, IXYS, Ifwd 38A, VRRM 1600V, FO-A, Montaggio a vite, 4 Pin
  • € 24,97Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Modulo raddrizzatore ponte, Monofase, IXYS, Ifwd 38A, VRRM 1600V, FO-A, Montaggio a vite, 4 Pin
  • PonteMonofase
  • Corrente di forward media di picco38A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa1600V
  • Tipo di montaggioMontaggio a vite
  • Tipo di packageFO-A
Prodotti simili in Raddrizzatori a ponte
MOSFET IXYS, canale N, 2,3 mΩ, 420 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • € 33,42Unità
MOSFET IXYS, canale N, 2,3 mΩ, 420 A, SOT-227, Montaggio a vite
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain420 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • SerieGigaMOS Trench HiperFET
  • Tipo di packageSOT-227
Prodotti simili in MOSFET
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 270A, 2200V, Y1 CU, Alta tensione
  • € 167,50Unità
Diodo IXYS, Montaggio a pannello, 270A, 2200V, Y1 CU, Alta tensione
  • Tipo di montaggioMontaggio a pannello
  • Tipo di packageY1 CU
  • Corrente massima continuativa di forward270A
  • Picco della tensione ripetitiva inversa2200V
  • Configurazione diodiSerie
Prodotti simili in Diodi Schottky e rettificatori
Diodo switching IXYS, Su foro, TO-247AD, Singolo, 2 Pin
  • € 5,29Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Diodo switching IXYS, Su foro, TO-247AD, Singolo, 2 Pin
  • Configurazione diodiSingolo
  • Numero di elementi per chip1
  • Tipo di montaggioSu foro
  • Tipo di packageTO-247AD
  • Tecnologia del diodoGiunzione al silicio
Prodotti simili in Diodi switching
MOSFET IXYS, canale N, 15 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro
  • € 6,582
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET IXYS, canale N, 15 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain110 A
  • Tensione massima drain source100 V
  • Tipo di packageTO-247
  • SerieHiperFET, Polar
Prodotti simili in MOSFET
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